博彩快三

  • <tr id='R94tZ9'><strong id='R94tZ9'></strong><small id='R94tZ9'></small><button id='R94tZ9'></button><li id='R94tZ9'><noscript id='R94tZ9'><big id='R94tZ9'></big><dt id='R94tZ9'></dt></noscript></li></tr><ol id='R94tZ9'><option id='R94tZ9'><table id='R94tZ9'><blockquote id='R94tZ9'><tbody id='R94tZ9'></tbody></blockquote></table></option></ol><u id='R94tZ9'></u><kbd id='R94tZ9'><kbd id='R94tZ9'></kbd></kbd>

    <code id='R94tZ9'><strong id='R94tZ9'></strong></code>

    <fieldset id='R94tZ9'></fieldset>
          <span id='R94tZ9'></span>

              <ins id='R94tZ9'></ins>
              <acronym id='R94tZ9'><em id='R94tZ9'></em><td id='R94tZ9'><div id='R94tZ9'></div></td></acronym><address id='R94tZ9'><big id='R94tZ9'><big id='R94tZ9'></big><legend id='R94tZ9'></legend></big></address>

              <i id='R94tZ9'><div id='R94tZ9'><ins id='R94tZ9'></ins></div></i>
              <i id='R94tZ9'></i>
            1. <dl id='R94tZ9'></dl>
              1. <blockquote id='R94tZ9'><q id='R94tZ9'><noscript id='R94tZ9'></noscript><dt id='R94tZ9'></dt></q></blockquote><noframes id='R94tZ9'><i id='R94tZ9'></i>
                电话:0512-65821886 地址:苏州★市工业园区新平街388号腾飞创新园A1栋
                公司新闻

                第三代半导体材料的优势及应用有哪些

                2022-03-23
                博研发现随着化合物半导体制造产业的不断发展,到目前为止,第一代、第二代半导体材料工艺已经逐渐达到物理“天花板”,想要突破目〇前技术瓶颈,只能从第三代半导体材料入手,而且在《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中,已经将推动“碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展”写入了“科技前沿领域攻关”部分,可见国家对第三代半导体材料的重视程度。
                 第三代半导体材料的优势及应用有哪些
                01 那么第三代半导体材料究竟是什么呢?
                 
                在国际上一般把禁带宽度(Eg)大于或等于2.3 eV 的半导体材料称之为宽禁带半导体材料也称第三代半导体材料。
                 
                常见的第三代半导体材料包括:碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、金刚石、氧化锌(ZnO)、氮化铝(AlN)等。
                 
                第一代半★导体材料以硅(Si)为代表,经过长期的发展彻底取代了笨重的电子管,从◣而推动了以集成电路为核心的微电子产品的迅猛发展;
                 
                第二代半导体材料则以砷化镓(GaAs)和锑化铟(InSb)等为主,其中磷化铟半导体激光╱器是光通信系统的关键器件,而砷化镓高速器件更开〇拓了光纤及移动通信新→产业。
                 
                02 第三代半导体的优势与特点
                 
                第三代半∏导体材料便是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表,它们不仅在电子迁移率(低压条件下的高频工作性能)上高于硅材料,还在饱↙和飘逸速率(高压条件下的高频工作性♀能)强于硅材料,更有着硅材料无法比拟的禁带宽度(器件的耐▲压性能、最高工作温度与光学性♀能),“宽禁带(Wide Band-Gap,WBG)”也是业内之所以重视第三代半导体材料的原因。
                 
                高禁带宽度↓的好处是,器件耐高压、耐高温,并々且功率大、抗辐射、导电∞性能强、工作速度快、工作№损耗低。 国内之所以用“代”这个词来划分半导体材料,主要╱是受到半导体材料的大规模应用所推动的第三次产业革命所影响,虽然第三代半导体在高温、强辐射、大功率等特殊场景中有着』非常显著的优势,但目前硅材料仍占据市场主导位置,因为硅材料在∩可靠性和整体性上有着其他半导体材料无法比∏拟的优势。
                 

                上一篇:MEMS器件该怎么设计          下一篇:光刻板的技〓术含量高不高